Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
TB8S-G
DIODE BRIDGE GPP 0.8A 800V TBS
номер части
TB8S-G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
Standard
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
4-SMD, Gull Wing
Пакет устройств поставщика
4-TBS
Тип диода
Single Phase
Напряжение — пиковое обратное (макс.)
800V
Ток – средний выпрямленный (Io)
800mA
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
950mV @ 400mA
Ток – обратная утечка @ Vr
10µA @ 800V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 35739 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова TB8S-G
TB8S-G Электронные компоненты
TB8S-G Продажи
TB8S-G Поставщик
TB8S-G Распределитель
TB8S-G Таблица данных
TB8S-G Фото
TB8S-G Цена
TB8S-G Предложение
TB8S-G Низшая цена
TB8S-G Поиск
TB8S-G Покупка
TB8S-G Chip