Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
C2M0025120D

C2M0025120D

MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
номер части
C2M0025120D
Производитель/Бренд
Ряд
Z-FET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
463W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
90A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
161nC @ 20V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2788pF @ 1000V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
20V
ВГС (Макс)
+25V, -10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 29478 PCS
Контактная информация
Ключевые слова C2M0025120D
C2M0025120D Электронные компоненты
C2M0025120D Продажи
C2M0025120D Поставщик
C2M0025120D Распределитель
C2M0025120D Таблица данных
C2M0025120D Фото
C2M0025120D Цена
C2M0025120D Предложение
C2M0025120D Низшая цена
C2M0025120D Поиск
C2M0025120D Покупка
C2M0025120D Chip