Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
C2M1000170D

C2M1000170D

MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
номер части
C2M1000170D
Производитель/Бренд
Ряд
Z-FET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.9A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
13nC @ 20V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
191pF @ 1000V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
20V
ВГС (Макс)
+25V, -10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 43020 PCS
Контактная информация
Ключевые слова C2M1000170D
C2M1000170D Электронные компоненты
C2M1000170D Продажи
C2M1000170D Поставщик
C2M1000170D Распределитель
C2M1000170D Таблица данных
C2M1000170D Фото
C2M1000170D Цена
C2M1000170D Предложение
C2M1000170D Низшая цена
C2M1000170D Поиск
C2M1000170D Покупка
C2M1000170D Chip