Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
CGHV1F025S
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
номер части
CGHV1F025S
Производитель/Бренд
Ряд
GaN
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Напряжение - номинальное
100V
Частота
6GHz
Пакет/кейс
12-VFDFN Exposed Pad
Текущий рейтинг
2A
Пакет устройств поставщика
12-DFN (4x3)
Выходная мощность
29W
Тип транзистора
HEMT
Прирост
16dB
Напряжение - Тест
40V
Коэффициент шума
-
Текущий — Тест
150mA
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 11289 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова CGHV1F025S
CGHV1F025S Электронные компоненты
CGHV1F025S Продажи
CGHV1F025S Поставщик
CGHV1F025S Распределитель
CGHV1F025S Таблица данных
CGHV1F025S Фото
CGHV1F025S Цена
CGHV1F025S Предложение
CGHV1F025S Низшая цена
CGHV1F025S Поиск
CGHV1F025S Покупка
CGHV1F025S Chip