Купить GeneSiC Semiconductor MBR200150CT DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

MBR200150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

номер части

MBR200150CT

Производитель/Бренд

GeneSiC Semiconductor

Ряд

Статус детали

Active

Упаковка

Bulk

Тип монтажа

Chassis Mount

Пакет/кейс

Twin Tower

Пакет устройств поставщика

Twin Tower

Тип диода

Schottky

Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If

880mV @ 100A

Ток – обратная утечка @ Vr

3mA @ 150V

Конфигурация диода

1 Pair Common Cathode

Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)

150V

Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)

100A

Скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)

Время обратного восстановления (trr)

Рабочая температура - соединение

-55°C ~ 150°C

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 9453 PCS

Контактная информация