Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
BUZ30AH3045AATMA1

BUZ30AH3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
номер части
BUZ30AH3045AATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
SIPMOS®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263AB)
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
21A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1900pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 17050 PCS
Контактная информация
Ключевые слова BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1 Электронные компоненты
BUZ30AH3045AATMA1 Продажи
BUZ30AH3045AATMA1 Поставщик
BUZ30AH3045AATMA1 Распределитель
BUZ30AH3045AATMA1 Таблица данных
BUZ30AH3045AATMA1 Фото
BUZ30AH3045AATMA1 Цена
BUZ30AH3045AATMA1 Предложение
BUZ30AH3045AATMA1 Низшая цена
BUZ30AH3045AATMA1 Поиск
BUZ30AH3045AATMA1 Покупка
BUZ30AH3045AATMA1 Chip