Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A
номер части
DF200R12PT4B6BOSA1
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
Module
Мощность - Макс.
1100W
Конфигурация
Three Phase Inverter
Пакет устройств поставщика
Module
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
300A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
1200V
Ток-отсечка коллектора (макс.)
15µA
Тип БТИЗ
Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) при Vce
12.5nF @ 25V
Вход
Standard
НТЦ-термистор
Yes
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 46135 PCS
Контактная информация
Ключевые слова DF200R12PT4B6BOSA1
DF200R12PT4B6BOSA1 Электронные компоненты
DF200R12PT4B6BOSA1 Продажи
DF200R12PT4B6BOSA1 Поставщик
DF200R12PT4B6BOSA1 Распределитель
DF200R12PT4B6BOSA1 Таблица данных
DF200R12PT4B6BOSA1 Фото
DF200R12PT4B6BOSA1 Цена
DF200R12PT4B6BOSA1 Предложение
DF200R12PT4B6BOSA1 Низшая цена
DF200R12PT4B6BOSA1 Поиск
DF200R12PT4B6BOSA1 Покупка
DF200R12PT4B6BOSA1 Chip