Купить Infineon Technologies IPB011N04LGATMA1 MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

IPB011N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

номер части

IPB011N04LGATMA1

Производитель/Бренд

Infineon Technologies

Ряд

OptiMOS™

Статус детали

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Пакет устройств поставщика

PG-TO263-7-3

Рассеиваемая мощность (макс.)

250W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

40V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

180A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

346nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

29000pF @ 20V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

4.5V, 10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 23005 PCS

Контактная информация