Купить Infineon Technologies IPB06CN10N G MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

IPB06CN10N G

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

номер части

IPB06CN10N G

Производитель/Бренд

Infineon Technologies

Ряд

OptiMOS™

Статус детали

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет устройств поставщика

D²PAK (TO-263AB)

Рассеиваемая мощность (макс.)

214W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

100V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

100A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 180µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

139nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

9200pF @ 50V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 20957 PCS

Контактная информация