Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
номер части
IPB083N15N5LFATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D²PAK (TO-263AB)
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
105A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 134µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
45nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
210pF @ 75V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50565 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Электронные компоненты
IPB083N15N5LFATMA1 Продажи
IPB083N15N5LFATMA1 Поставщик
IPB083N15N5LFATMA1 Распределитель
IPB083N15N5LFATMA1 Таблица данных
IPB083N15N5LFATMA1 Фото
IPB083N15N5LFATMA1 Цена
IPB083N15N5LFATMA1 Предложение
IPB083N15N5LFATMA1 Низшая цена
IPB083N15N5LFATMA1 Поиск
IPB083N15N5LFATMA1 Покупка
IPB083N15N5LFATMA1 Chip