Купить Infineon Technologies IPB200N15N3GATMA1 MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

IPB200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3

номер части

IPB200N15N3GATMA1

Производитель/Бренд

Infineon Technologies

Ряд

OptiMOS™

Статус детали

Active

Упаковка

Digi-Reel®

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет устройств поставщика

D²PAK (TO-263AB)

Рассеиваемая мощность (макс.)

150W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

150V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

50A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

4V @ 90µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

31nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1820pF @ 75V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

8V, 10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 47949 PCS

Контактная информация