Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
номер части
IPB80N04S2H4ATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
148nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4400pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50924 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPB80N04S2H4ATMA1
IPB80N04S2H4ATMA1 Электронные компоненты
IPB80N04S2H4ATMA1 Продажи
IPB80N04S2H4ATMA1 Поставщик
IPB80N04S2H4ATMA1 Распределитель
IPB80N04S2H4ATMA1 Таблица данных
IPB80N04S2H4ATMA1 Фото
IPB80N04S2H4ATMA1 Цена
IPB80N04S2H4ATMA1 Предложение
IPB80N04S2H4ATMA1 Низшая цена
IPB80N04S2H4ATMA1 Поиск
IPB80N04S2H4ATMA1 Покупка
IPB80N04S2H4ATMA1 Chip