Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPC100N04S51R2ATMA1

IPC100N04S51R2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
номер части
IPC100N04S51R2ATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-PowerTDFN
Пакет устройств поставщика
PG-TDSON-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
131nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7650pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
7V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5230 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 Электронные компоненты
IPC100N04S51R2ATMA1 Продажи
IPC100N04S51R2ATMA1 Поставщик
IPC100N04S51R2ATMA1 Распределитель
IPC100N04S51R2ATMA1 Таблица данных
IPC100N04S51R2ATMA1 Фото
IPC100N04S51R2ATMA1 Цена
IPC100N04S51R2ATMA1 Предложение
IPC100N04S51R2ATMA1 Низшая цена
IPC100N04S51R2ATMA1 Поиск
IPC100N04S51R2ATMA1 Покупка
IPC100N04S51R2ATMA1 Chip