Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD031N03LGATMA1

IPD031N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
номер части
IPD031N03LGATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
90A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5300pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 51629 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD031N03LGATMA1
IPD031N03LGATMA1 Электронные компоненты
IPD031N03LGATMA1 Продажи
IPD031N03LGATMA1 Поставщик
IPD031N03LGATMA1 Распределитель
IPD031N03LGATMA1 Таблица данных
IPD031N03LGATMA1 Фото
IPD031N03LGATMA1 Цена
IPD031N03LGATMA1 Предложение
IPD031N03LGATMA1 Низшая цена
IPD031N03LGATMA1 Поиск
IPD031N03LGATMA1 Покупка
IPD031N03LGATMA1 Chip