Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
номер части
IPD068N10N3GBTMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
90A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
68nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4910pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 33878 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD068N10N3GBTMA1
IPD068N10N3GBTMA1 Электронные компоненты
IPD068N10N3GBTMA1 Продажи
IPD068N10N3GBTMA1 Поставщик
IPD068N10N3GBTMA1 Распределитель
IPD068N10N3GBTMA1 Таблица данных
IPD068N10N3GBTMA1 Фото
IPD068N10N3GBTMA1 Цена
IPD068N10N3GBTMA1 Предложение
IPD068N10N3GBTMA1 Низшая цена
IPD068N10N3GBTMA1 Поиск
IPD068N10N3GBTMA1 Покупка
IPD068N10N3GBTMA1 Chip