Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
номер части
IPD200N15N3GATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
31nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1820pF @ 75V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
8V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10423 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD200N15N3GATMA1
IPD200N15N3GATMA1 Электронные компоненты
IPD200N15N3GATMA1 Продажи
IPD200N15N3GATMA1 Поставщик
IPD200N15N3GATMA1 Распределитель
IPD200N15N3GATMA1 Таблица данных
IPD200N15N3GATMA1 Фото
IPD200N15N3GATMA1 Цена
IPD200N15N3GATMA1 Предложение
IPD200N15N3GATMA1 Низшая цена
IPD200N15N3GATMA1 Поиск
IPD200N15N3GATMA1 Покупка
IPD200N15N3GATMA1 Chip