Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD40N03S4L08ATMA1

IPD40N03S4L08ATMA1

MOSFET N-CH TO252-3
номер части
IPD40N03S4L08ATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3-11
Рассеиваемая мощность (макс.)
42W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
40A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1520pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±16V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23455 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD40N03S4L08ATMA1
IPD40N03S4L08ATMA1 Электронные компоненты
IPD40N03S4L08ATMA1 Продажи
IPD40N03S4L08ATMA1 Поставщик
IPD40N03S4L08ATMA1 Распределитель
IPD40N03S4L08ATMA1 Таблица данных
IPD40N03S4L08ATMA1 Фото
IPD40N03S4L08ATMA1 Цена
IPD40N03S4L08ATMA1 Предложение
IPD40N03S4L08ATMA1 Низшая цена
IPD40N03S4L08ATMA1 Поиск
IPD40N03S4L08ATMA1 Покупка
IPD40N03S4L08ATMA1 Chip