Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1

MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
номер части
IPD600N25N3GBTMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2350pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10375 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD600N25N3GBTMA1
IPD600N25N3GBTMA1 Электронные компоненты
IPD600N25N3GBTMA1 Продажи
IPD600N25N3GBTMA1 Поставщик
IPD600N25N3GBTMA1 Распределитель
IPD600N25N3GBTMA1 Таблица данных
IPD600N25N3GBTMA1 Фото
IPD600N25N3GBTMA1 Цена
IPD600N25N3GBTMA1 Предложение
IPD600N25N3GBTMA1 Низшая цена
IPD600N25N3GBTMA1 Поиск
IPD600N25N3GBTMA1 Покупка
IPD600N25N3GBTMA1 Chip