Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD60R380E6BTMA1

IPD60R380E6BTMA1

MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
номер части
IPD60R380E6BTMA1
Производитель/Бренд
Ряд
CoolMOS™
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Bulk
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 155°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
Super Junction
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
32nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
700pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48924 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380E6BTMA1 Электронные компоненты
IPD60R380E6BTMA1 Продажи
IPD60R380E6BTMA1 Поставщик
IPD60R380E6BTMA1 Распределитель
IPD60R380E6BTMA1 Таблица данных
IPD60R380E6BTMA1 Фото
IPD60R380E6BTMA1 Цена
IPD60R380E6BTMA1 Предложение
IPD60R380E6BTMA1 Низшая цена
IPD60R380E6BTMA1 Поиск
IPD60R380E6BTMA1 Покупка
IPD60R380E6BTMA1 Chip