Купить Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Посмотреть информацию Таблицы данных

IPD60R650CEBTMA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

номер части

IPD60R650CEBTMA1

Производитель/Бренд

Infineon Technologies

Ряд

CoolMOS™ CE

Статус детали

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет устройств поставщика

PG-TO252-3

Рассеиваемая мощность (макс.)

82W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

600V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

7A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

3.5V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

440pF @ 100V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 11908 PCS

Контактная информация