Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
номер части
IPD80N04S306ATMA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
90A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 52µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
47nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3250pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31684 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPD80N04S306ATMA1
IPD80N04S306ATMA1 Электронные компоненты
IPD80N04S306ATMA1 Продажи
IPD80N04S306ATMA1 Поставщик
IPD80N04S306ATMA1 Распределитель
IPD80N04S306ATMA1 Таблица данных
IPD80N04S306ATMA1 Фото
IPD80N04S306ATMA1 Цена
IPD80N04S306ATMA1 Предложение
IPD80N04S306ATMA1 Низшая цена
IPD80N04S306ATMA1 Поиск
IPD80N04S306ATMA1 Покупка
IPD80N04S306ATMA1 Chip