Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IPI600N25N3GAKSA1

IPI600N25N3GAKSA1

MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
номер части
IPI600N25N3GAKSA1
Производитель/Бренд
Ряд
OptiMOS™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
136W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2350pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 43713 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IPI600N25N3GAKSA1
IPI600N25N3GAKSA1 Электронные компоненты
IPI600N25N3GAKSA1 Продажи
IPI600N25N3GAKSA1 Поставщик
IPI600N25N3GAKSA1 Распределитель
IPI600N25N3GAKSA1 Таблица данных
IPI600N25N3GAKSA1 Фото
IPI600N25N3GAKSA1 Цена
IPI600N25N3GAKSA1 Предложение
IPI600N25N3GAKSA1 Низшая цена
IPI600N25N3GAKSA1 Поиск
IPI600N25N3GAKSA1 Покупка
IPI600N25N3GAKSA1 Chip