Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF1010EL

IRF1010EL

MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
номер части
IRF1010EL
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет устройств поставщика
TO-262
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
84A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3210pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32603 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF1010EL
IRF1010EL Электронные компоненты
IRF1010EL Продажи
IRF1010EL Поставщик
IRF1010EL Распределитель
IRF1010EL Таблица данных
IRF1010EL Фото
IRF1010EL Цена
IRF1010EL Предложение
IRF1010EL Низшая цена
IRF1010EL Поиск
IRF1010EL Покупка
IRF1010EL Chip