Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRF8010STRRPBF

IRF8010STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
номер части
IRF8010STRRPBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика
D2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.)
260W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
120nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3830pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 29592 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRF8010STRRPBF
IRF8010STRRPBF Электронные компоненты
IRF8010STRRPBF Продажи
IRF8010STRRPBF Поставщик
IRF8010STRRPBF Распределитель
IRF8010STRRPBF Таблица данных
IRF8010STRRPBF Фото
IRF8010STRRPBF Цена
IRF8010STRRPBF Предложение
IRF8010STRRPBF Низшая цена
IRF8010STRRPBF Поиск
IRF8010STRRPBF Покупка
IRF8010STRRPBF Chip