Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IRFH3707TR2PBF

IRFH3707TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
номер части
IRFH3707TR2PBF
Производитель/Бренд
Ряд
HEXFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-PowerVDFN
Пакет устройств поставщика
8-PQFN (3x3)
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
755pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48254 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IRFH3707TR2PBF
IRFH3707TR2PBF Электронные компоненты
IRFH3707TR2PBF Продажи
IRFH3707TR2PBF Поставщик
IRFH3707TR2PBF Распределитель
IRFH3707TR2PBF Таблица данных
IRFH3707TR2PBF Фото
IRFH3707TR2PBF Цена
IRFH3707TR2PBF Предложение
IRFH3707TR2PBF Низшая цена
IRFH3707TR2PBF Поиск
IRFH3707TR2PBF Покупка
IRFH3707TR2PBF Chip