Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXBT10N170

IXBT10N170

IGBT 1700V 20A 140W TO268
номер части
IXBT10N170
Производитель/Бренд
Ряд
BIMOSFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Тип ввода
Standard
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Мощность - Макс.
140W
Пакет устройств поставщика
TO-268
Время обратного восстановления (trr)
360ns
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
20A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
1700V
Тип БТИЗ
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
3.8V @ 15V, 10A
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
40A
Переключение энергии
6mJ (off)
Заряд от ворот
30nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
35ns/500ns
Условия испытания
1360V, 10A, 56 Ohm, 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32662 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXBT10N170
IXBT10N170 Электронные компоненты
IXBT10N170 Продажи
IXBT10N170 Поставщик
IXBT10N170 Распределитель
IXBT10N170 Таблица данных
IXBT10N170 Фото
IXBT10N170 Цена
IXBT10N170 Предложение
IXBT10N170 Низшая цена
IXBT10N170 Поиск
IXBT10N170 Покупка
IXBT10N170 Chip