Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXCY01N90E

IXCY01N90E

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
номер части
IXCY01N90E
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
250mA (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
133pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 8079 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXCY01N90E
IXCY01N90E Электронные компоненты
IXCY01N90E Продажи
IXCY01N90E Поставщик
IXCY01N90E Распределитель
IXCY01N90E Таблица данных
IXCY01N90E Фото
IXCY01N90E Цена
IXCY01N90E Предложение
IXCY01N90E Низшая цена
IXCY01N90E Поиск
IXCY01N90E Покупка
IXCY01N90E Chip