Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFP12N50P

IXFP12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
номер части
IXFP12N50P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1830pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50401 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFP12N50P
IXFP12N50P Электронные компоненты
IXFP12N50P Продажи
IXFP12N50P Поставщик
IXFP12N50P Распределитель
IXFP12N50P Таблица данных
IXFP12N50P Фото
IXFP12N50P Цена
IXFP12N50P Предложение
IXFP12N50P Низшая цена
IXFP12N50P Поиск
IXFP12N50P Покупка
IXFP12N50P Chip