Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFP3N120

IXFP3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
номер части
IXFP3N120
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
39nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1050pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42660 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFP3N120
IXFP3N120 Электронные компоненты
IXFP3N120 Продажи
IXFP3N120 Поставщик
IXFP3N120 Распределитель
IXFP3N120 Таблица данных
IXFP3N120 Фото
IXFP3N120 Цена
IXFP3N120 Предложение
IXFP3N120 Низшая цена
IXFP3N120 Поиск
IXFP3N120 Покупка
IXFP3N120 Chip