Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M

FET N-CHANNEL
номер части
IXFP56N30X3M
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3 Full Pack
Пакет устройств поставщика
TO-220 Overmolded
Рассеиваемая мощность (макс.)
36W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
56A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
56nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3750pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6953 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFP56N30X3M
IXFP56N30X3M Электронные компоненты
IXFP56N30X3M Продажи
IXFP56N30X3M Поставщик
IXFP56N30X3M Распределитель
IXFP56N30X3M Таблица данных
IXFP56N30X3M Фото
IXFP56N30X3M Цена
IXFP56N30X3M Предложение
IXFP56N30X3M Низшая цена
IXFP56N30X3M Поиск
IXFP56N30X3M Покупка
IXFP56N30X3M Chip