Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFP6N120P

IXFP6N120P

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
номер части
IXFP6N120P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
92nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2830pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47376 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFP6N120P
IXFP6N120P Электронные компоненты
IXFP6N120P Продажи
IXFP6N120P Поставщик
IXFP6N120P Распределитель
IXFP6N120P Таблица данных
IXFP6N120P Фото
IXFP6N120P Цена
IXFP6N120P Предложение
IXFP6N120P Низшая цена
IXFP6N120P Поиск
IXFP6N120P Покупка
IXFP6N120P Chip