Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFQ10N80P

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
номер части
IXFQ10N80P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarHT™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика
TO-3P
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
40nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2050pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30173 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFQ10N80P
IXFQ10N80P Электронные компоненты
IXFQ10N80P Продажи
IXFQ10N80P Поставщик
IXFQ10N80P Распределитель
IXFQ10N80P Таблица данных
IXFQ10N80P Фото
IXFQ10N80P Цена
IXFQ10N80P Предложение
IXFQ10N80P Низшая цена
IXFQ10N80P Поиск
IXFQ10N80P Покупка
IXFQ10N80P Chip