Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFQ30N60X

IXFQ30N60X

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
номер части
IXFQ30N60X
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика
TO-3P
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
56nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2270pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30410 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFQ30N60X
IXFQ30N60X Электронные компоненты
IXFQ30N60X Продажи
IXFQ30N60X Поставщик
IXFQ30N60X Распределитель
IXFQ30N60X Таблица данных
IXFQ30N60X Фото
IXFQ30N60X Цена
IXFQ30N60X Предложение
IXFQ30N60X Низшая цена
IXFQ30N60X Поиск
IXFQ30N60X Покупка
IXFQ30N60X Chip