Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFQ60N60X

IXFQ60N60X

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
номер части
IXFQ60N60X
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика
TO-3P
Рассеиваемая мощность (макс.)
890W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
143nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
5800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21508 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXFQ60N60X
IXFQ60N60X Электронные компоненты
IXFQ60N60X Продажи
IXFQ60N60X Поставщик
IXFQ60N60X Распределитель
IXFQ60N60X Таблица данных
IXFQ60N60X Фото
IXFQ60N60X Цена
IXFQ60N60X Предложение
IXFQ60N60X Низшая цена
IXFQ60N60X Поиск
IXFQ60N60X Покупка
IXFQ60N60X Chip