Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
номер части
IXFT10N100
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика
TO-268
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
155nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4000pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 11383 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFT10N100
IXFT10N100 Электронные компоненты
IXFT10N100 Продажи
IXFT10N100 Поставщик
IXFT10N100 Распределитель
IXFT10N100 Таблица данных
IXFT10N100 Фото
IXFT10N100 Цена
IXFT10N100 Предложение
IXFT10N100 Низшая цена
IXFT10N100 Поиск
IXFT10N100 Покупка
IXFT10N100 Chip