Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFT12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
номер части
IXFT12N90Q
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика
TO-268
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
90nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2900pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 6316 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFT12N90Q
IXFT12N90Q Электронные компоненты
IXFT12N90Q Продажи
IXFT12N90Q Поставщик
IXFT12N90Q Распределитель
IXFT12N90Q Таблица данных
IXFT12N90Q Фото
IXFT12N90Q Цена
IXFT12N90Q Предложение
IXFT12N90Q Низшая цена
IXFT12N90Q Поиск
IXFT12N90Q Покупка
IXFT12N90Q Chip