Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFT16N120P
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
номер части
IXFT16N120P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика
TO-268
Рассеиваемая мощность (макс.)
660W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
16A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
120nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6900pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 52382 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFT16N120P
IXFT16N120P Электронные компоненты
IXFT16N120P Продажи
IXFT16N120P Поставщик
IXFT16N120P Распределитель
IXFT16N120P Таблица данных
IXFT16N120P Фото
IXFT16N120P Цена
IXFT16N120P Предложение
IXFT16N120P Низшая цена
IXFT16N120P Поиск
IXFT16N120P Покупка
IXFT16N120P Chip