Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
номер части
IXFT18N100Q3
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика
TO-268
Рассеиваемая мощность (макс.)
830W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
90nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4890pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 13528 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3 Электронные компоненты
IXFT18N100Q3 Продажи
IXFT18N100Q3 Поставщик
IXFT18N100Q3 Распределитель
IXFT18N100Q3 Таблица данных
IXFT18N100Q3 Фото
IXFT18N100Q3 Цена
IXFT18N100Q3 Предложение
IXFT18N100Q3 Низшая цена
IXFT18N100Q3 Поиск
IXFT18N100Q3 Покупка
IXFT18N100Q3 Chip