Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
номер части
IXFT20N100P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarP2™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика
TO-268
Рассеиваемая мощность (макс.)
660W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
126nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7300pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16512 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFT20N100P
IXFT20N100P Электронные компоненты
IXFT20N100P Продажи
IXFT20N100P Поставщик
IXFT20N100P Распределитель
IXFT20N100P Таблица данных
IXFT20N100P Фото
IXFT20N100P Цена
IXFT20N100P Предложение
IXFT20N100P Низшая цена
IXFT20N100P Поиск
IXFT20N100P Покупка
IXFT20N100P Chip