Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
номер части
IXFT30N50P
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, PolarHT™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет устройств поставщика
TO-268
Рассеиваемая мощность (макс.)
460W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
70nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4150pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 19632 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFT30N50P
IXFT30N50P Электронные компоненты
IXFT30N50P Продажи
IXFT30N50P Поставщик
IXFT30N50P Распределитель
IXFT30N50P Таблица данных
IXFT30N50P Фото
IXFT30N50P Цена
IXFT30N50P Предложение
IXFT30N50P Низшая цена
IXFT30N50P Поиск
IXFT30N50P Покупка
IXFT30N50P Chip