Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXFY4N60P3
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
номер части
IXFY4N60P3
Производитель/Бренд
Ряд
HiPerFET™, Polar3™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6.9nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
365pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31378 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 Электронные компоненты
IXFY4N60P3 Продажи
IXFY4N60P3 Поставщик
IXFY4N60P3 Распределитель
IXFY4N60P3 Таблица данных
IXFY4N60P3 Фото
IXFY4N60P3 Цена
IXFY4N60P3 Предложение
IXFY4N60P3 Низшая цена
IXFY4N60P3 Поиск
IXFY4N60P3 Покупка
IXFY4N60P3 Chip