Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
IXRFSM12N100

IXRFSM12N100

2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
номер части
IXRFSM12N100
Производитель/Бренд
Ряд
SMPD
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Пакет устройств поставщика
16-SMPD
Рассеиваемая мощность (макс.)
940W
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
77nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2875pF @ 800V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
15V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32041 PCS
Контактная информация
Ключевые слова IXRFSM12N100
IXRFSM12N100 Электронные компоненты
IXRFSM12N100 Продажи
IXRFSM12N100 Поставщик
IXRFSM12N100 Распределитель
IXRFSM12N100 Таблица данных
IXRFSM12N100 Фото
IXRFSM12N100 Цена
IXRFSM12N100 Предложение
IXRFSM12N100 Низшая цена
IXRFSM12N100 Поиск
IXRFSM12N100 Покупка
IXRFSM12N100 Chip