Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
MG12150D-BA1MM
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
номер части
MG12150D-BA1MM
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Пакет/кейс
Module
Мощность - Макс.
1100W
Конфигурация
Half Bridge
Пакет устройств поставщика
D3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
210A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
1200V
Ток-отсечка коллектора (макс.)
1mA
Тип БТИЗ
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
Входная емкость (Cies) при Vce
11nF @ 25V
Вход
Standard
НТЦ-термистор
No
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 10623 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM Электронные компоненты
MG12150D-BA1MM Продажи
MG12150D-BA1MM Поставщик
MG12150D-BA1MM Распределитель
MG12150D-BA1MM Таблица данных
MG12150D-BA1MM Фото
MG12150D-BA1MM Цена
MG12150D-BA1MM Предложение
MG12150D-BA1MM Низшая цена
MG12150D-BA1MM Поиск
MG12150D-BA1MM Покупка
MG12150D-BA1MM Chip