Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
APT1002RBNG

APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
номер части
APT1002RBNG
Производитель/Бренд
Ряд
POWER MOS IV®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AD
Рассеиваемая мощность (макс.)
240W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
105nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1800pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 16625 PCS
Контактная информация
Ключевые слова APT1002RBNG
APT1002RBNG Электронные компоненты
APT1002RBNG Продажи
APT1002RBNG Поставщик
APT1002RBNG Распределитель
APT1002RBNG Таблица данных
APT1002RBNG Фото
APT1002RBNG Цена
APT1002RBNG Предложение
APT1002RBNG Низшая цена
APT1002RBNG Поиск
APT1002RBNG Покупка
APT1002RBNG Chip