Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
2SK536-TB-E
MOSFET N-CH 50V 0.1A
номер части
2SK536-TB-E
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
125°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SC-59
Рассеиваемая мощность (макс.)
200mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
100mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
15pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 32967 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова 2SK536-TB-E
2SK536-TB-E Электронные компоненты
2SK536-TB-E Продажи
2SK536-TB-E Поставщик
2SK536-TB-E Распределитель
2SK536-TB-E Таблица данных
2SK536-TB-E Фото
2SK536-TB-E Цена
2SK536-TB-E Предложение
2SK536-TB-E Низшая цена
2SK536-TB-E Поиск
2SK536-TB-E Покупка
2SK536-TB-E Chip