Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
номер части
BVSS123LT1G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
225mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
170mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
20pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 22744 PCS
Контактная информация
Ключевые слова BVSS123LT1G
BVSS123LT1G Электронные компоненты
BVSS123LT1G Продажи
BVSS123LT1G Поставщик
BVSS123LT1G Распределитель
BVSS123LT1G Таблица данных
BVSS123LT1G Фото
BVSS123LT1G Цена
BVSS123LT1G Предложение
BVSS123LT1G Низшая цена
BVSS123LT1G Поиск
BVSS123LT1G Покупка
BVSS123LT1G Chip