Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FDP12N50NZ
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
номер части
FDP12N50NZ
Производитель/Бренд
Ряд
UniFET-II™
Статус детали
Active
Упаковка
Tube
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220-3
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
11.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
30nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1235pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 54487 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова FDP12N50NZ
FDP12N50NZ Электронные компоненты
FDP12N50NZ Продажи
FDP12N50NZ Поставщик
FDP12N50NZ Распределитель
FDP12N50NZ Таблица данных
FDP12N50NZ Фото
FDP12N50NZ Цена
FDP12N50NZ Предложение
FDP12N50NZ Низшая цена
FDP12N50NZ Поиск
FDP12N50NZ Покупка
FDP12N50NZ Chip