Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
номер части
FDV302P
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23
Рассеиваемая мощность (макс.)
350mW (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
11pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.7V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 45769 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова FDV302P
FDV302P Электронные компоненты
FDV302P Продажи
FDV302P Поставщик
FDV302P Распределитель
FDV302P Таблица данных
FDV302P Фото
FDV302P Цена
FDV302P Предложение
FDV302P Низшая цена
FDV302P Поиск
FDV302P Покупка
FDV302P Chip