Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
номер части
FDV302P-NB8V001
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика
SOT-23
Рассеиваемая мощность (макс.)
350mW (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
120mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
11pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.7V, 4.5V
ВГС (Макс)
-8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48733 PCS
Контактная информация
Ключевые слова FDV302P-NB8V001
FDV302P-NB8V001 Электронные компоненты
FDV302P-NB8V001 Продажи
FDV302P-NB8V001 Поставщик
FDV302P-NB8V001 Распределитель
FDV302P-NB8V001 Таблица данных
FDV302P-NB8V001 Фото
FDV302P-NB8V001 Цена
FDV302P-NB8V001 Предложение
FDV302P-NB8V001 Низшая цена
FDV302P-NB8V001 Поиск
FDV302P-NB8V001 Покупка
FDV302P-NB8V001 Chip