Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
номер части
FQD10N20CTM
Производитель/Бренд
Ряд
QFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
D-Pak
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7.8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
26nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
510pF @ 25V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 52876 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова FQD10N20CTM
FQD10N20CTM Электронные компоненты
FQD10N20CTM Продажи
FQD10N20CTM Поставщик
FQD10N20CTM Распределитель
FQD10N20CTM Таблица данных
FQD10N20CTM Фото
FQD10N20CTM Цена
FQD10N20CTM Предложение
FQD10N20CTM Низшая цена
FQD10N20CTM Поиск
FQD10N20CTM Покупка
FQD10N20CTM Chip